Disco Duro SSD Samsung 860 EVO 500GB SATA 3 M. 2

Samsung 860 EVO 500GB SATA 3 M. 2 Duro SSD

Wir stellen Ihnen die neue Version der VerkaufsverkaufsSATA SSD, der Samsung 860 EVO, vor. Die neue SSD verfügt über die Samsung V-NAND Samsung und einen robusten Algorithmus-basierten Controller, und ist in verschiedenen Formaten und Funktionen verfügbar.

Genießen Sie konstante Geschwindigkeit auch bei großen Workloads und Multitasking. Samsung's 860 EVO SSD-Laufwerk bietet eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 520 MB/s dank der Intelligent TurboWrite íg Technologie, und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MB/s. Die Tama ñ oder der TurboWrite-Puffer wurde von 12 GB auf 78 GB verbessert und bietet Ihnen eine Dateiübertragung von m &aecas r &arecute;

.

Speichert sicher und nahtlos die 3D-Daten, die von den neuesten Anwendungen verwendet werden, bis zum 8-Fachen des TBW-Modells (Terabyte geschrieben) *, das das Vorgängermodell 850 EVO enthält. Die neueste Technologie í ein V-NAND bietet eine Zuverlässigkeit des Marktes mit 5 bis ñ s von Garant í auf oder 2.400 TBW.

Benef &iacciate de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Der neue ECC* -Algorithmus und sein MJX-Treiber erzeugen Hochgeschwindigkeits-&aecups, während der erweiterte TRIM ó -Schwanz seine Kompatibilität mit Linux begünstigt. Unser fortgeschrittener Ingenieur íos a har &aetuos unsere SSD 860 EVO m &aUteres kompatibel mit Ihrem Betriebssystem.

Was auch immer die tama ñ oder Ihr Computer, es wird immer eine 860 EVO SSD für Sie geben. Wählen Sie aus dem 2.5 ” -Modell für Ihren PC oder Port &atil, oder den SATA M. 2 (2280) und mSATA für ultradünne Geräte. So einfach.

Samsung 860 EVO-Spezifikationen:

• Kapazität: 500 GB
• Format: M. 2 2280
• Schnittstelle: SATA 6 Gb/s Interface, kompatibel mit SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s
• Abmessungen: M &aacuties x 80.15 x M &aacuties x 22.15 x Max.2.38 (mm)
• Gewicht: M &aacuties x. 8g
• NAND-Typ
• Samsung V-NAND 3bit MLC
• Controller: Samsung MJX Controller
• Cach Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
• Special &iacitises Character
  • TRIM Support
  • TRIM
  • S. M. A. R. T Support
  • S. M. A. R. T
  • GC (Garbage Collection)
  • Auto Garbage Collection Algorithm
  • AES 256-bit
  • Device Support Mode: S &iactos
  • Performance
    • Sequential reading: Bis zu 550 MB/s
    • Random Read (4KB, QD32): Bis zu 97.000 IOPS
    • Random Write (4KB, QD32): Bis zu 88,000 IOPS
    • Random Read (4KB, QD1): Bis zu 10.000 IOPS
    • Random Write (4KB, QD1): Bis zu 42.000 IOPS
• Environment
  • Energ Consumption &iute; s to: 4.0 W
  • Durability (MTBF): 1.5 Million hours
  • Temperatur: 0-70 ° C
  • Golpes: 1.500 G & 0,5

Software

• Zauberer