Disco Duro SSD Samsung 860 EVO 250GB 2,5 '' SATA 3

Samsung 860 EVO 250GB 2.5 ' '

Wir präsentieren Ihnen die neue Version der SATA SSD l &iuterer sales, die Samsung 860 EVO. Die neue SSD verfügt über die Samsung V-NAND Samsung und einen robusten Algorithmus-basierten Controller, und ist in verschiedenen Formaten und Funktionen verfügbar.

Genießen Sie konstante Geschwindigkeit auch bei großen Workloads und Multitasking. Das Samsung-Laufwerk SSD 860 EVO bietet dank der Intelligent TurboWrite íg-Technologie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 520 MB/s und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MB/s. Die Tama ñ oder der TurboWrite-Puffer wurde von 12 GB auf 78 GB verbessert und bietet Ihnen eine Dateiübertragung von m &aecas r &arecute;

Sicher speichert und stellt die 3D-Daten, die von den neuesten Anwendungen verwendet werden, sicher und stellt bis zum 8-Fachen des TBW (Terabyte geschrieben)     dar, das das Vorgängermodell 850 EVO aufweist. Die neueste Technologie í ein V-NAND bietet eine Zuverlässigkeit des Marktes mit 5 bis ñ s von Garant í auf oder 2.400 TBW.

Benef &iacciate de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Der neue ECC-Algorithmus und sein MJX-Treiber erzeugen eine hohe Geschwindigkeit von m &aasties, während seine erweiterte TRIM-ó -Warteschlange seine Kompatibilität mit Linux begünstigt. Unser fortgeschrittener Ingenieur íos a har &aetuos unsere SSD 860 EVO m &aUteres kompatibel mit Ihrem Betriebssystem.

Was auch immer die tama ñ oder Ihr Computer ist, es wird immer eine SSD 860 EVO für Sie geben. Wählen Sie aus dem 2.5 ” -Modell für Ihren PC oder Port &atil, oder den SATA M. 2 (2280) und mSATA für ultradünne Geräte. So einfach.

Samsung 860 EVO-Spezifikationen:

• Serie: SSD 860 EVO
• Schnittstelle: SATA 6 Gb/s Schnittstelle, kompatibel mit SATA 3 Gb/s Schnittstelle und SATA 1.5 Gb/s
• Kapazität: 250 GB *Tatsächliche verwendbare Kapazität kann niedriger sein (aufgrund von Formatierung, Partitionen, Betriebssystem, Anwendungen oder anderen)
• Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: bis zu 550 MB/s
  • * Leistung kann sec &uendon
  • Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 520 MB/s sequenzielle Schreibvorgänge
    • * Leistung kann sec&uastin die Systemhardware variieren und
    • Random read rate: Random read (4 KB, QD32): bis zu 98 000 wahlfreie Lesezugriffe von IOPS (4 KB, QD1): bis zu 10.000 wahlfreie IOPS
      • * Leistung kann sec &uendon Systemhardware variieren und
      • Random Schreibgeschwindigkeit: Random write (4KB, QD32): bis zu 90.000 wahlfreie Schreibzugriffe IOPS (4KB, QD1): bis zu 42.000 zufällige Schreib-IOPS
        • * Leistung
        • Systemhardware und
  MJX-Controller
  • NAND Flash: Samsung V-NAND 3bit MLC
  • Cach Memory &eachoes: Samsung 512 MB low power DDR4 SDRAM
  • Trim Support: S &iactos
  • Encryptaci 256-bit AES (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (verschlüsselte Einheit)
  • Reliability (MTBF): 1.5 million Stunden of Zuverlässigkeit (MTBF)